外延片材料是LED的核心部分，事实上，LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延片材料。外延片技术与设备是外延片制造技术的关键所在。

（1）LED外延片的制造工艺

        衬底——结构设计——缓冲层生长——N型GaN层生长——多量子阱发光层生长——P型GaN层生长——退火——检测（光荧光、X射线）——外延片

        外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD）。

        外延片的制造基本上决定了芯片的发光效率，工作电压，波长等各项光电参数。同时也决定了芯片抗ESD冲击的能力，和长期的稳定性。

（2）LED芯片的制造工艺流程：

        外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形激光雕刻→腐蚀→去胶→平台图形激光雕刻→干式激光蚀刻→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形激光雕刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形激光雕刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形激光雕刻→镀膜→剥离→研磨→激光切割→芯片→成品测试。

        芯片加工制程决定了芯片的电极粘附可靠性，芯片外观品质，光电参数一致性。

（3）成品测试的流程

        其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，生产设备基本上选用原装进口为主；在展完外延片后，下一步就开始对LED外延片做电极（P极，N极），接着就开始用激光机切割LED外延片（以前切割LED外延片主要用钻石刀），制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，如图所示：

        1、主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。

        2、晶圆切割成芯片后，100%的目检（VI/VC），操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。

        3、接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。

        4、最后对LED芯片进行检查（VC）和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心，蓝膜上最多有5000粒芯片，但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒，芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的背面。蓝膜上的芯片将做最后的目检测试与第一次目检标准相同，确保芯片排列整齐和质量合格。这样就制成LED芯片（目前市场上统称方片）。

        在LED芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出来，这些就是后面的散晶，此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片或毛片等。不良品的外延片（主要是有一些参数不符合要求），就不用来做方片，就直接做电极（P极，N极），也不做分检了，也就是目前市场上的LED大圆片（这里面也有好东西，如方片等）。